|
Laboratorium Materia堯w Zol-疾lowych i Nanotechnologii -- Oferta
|
|
|
Written by Administrator
|
|
|
|
2008-04-19, 20:20
Page 6 of 10
Mikroskop si� atomowych (AFM) XE-100 firmy Park Systems
Mikroskop Si� Atomowych (AFM) XE-100 nale篡 do grupy mikroskop闚 ze skanuj帷� sond� umo磧iwiaj帷y uzyskanie 3-wymiarowej topografii powierzchni badanej pr鏏ki z rozdzielczo軼i� w skali nano dzi瘯i wykorzystaniu oddzia造wa� mi璠zyatomowych pomi璠zy sond� a powierzchni� badanej pr鏏ki. XE-100 przeznaczony jest do bada� ma造ch i 鈔ednich pr鏏ek w stanie litym z maksymalnym zakresem skanowania nie wi瘯szym ni� 50 µm. Mikroskop AFM umo磧iwia badanie powierzchni przewodnik闚, p馧przewodnik闚 i izolator闚. Mo磧iwe jest tak瞠 badanie organizm闚 biologicznych.
W zale積o軼i od rodzaju badanego materia逝 konfiguracja mikroskopu XE-100 pozwala na prac� w nast瘼uj帷ych modach:
- Mod kontaktowy (Contact AFM): kontaktowe odzwierciedlenie topografii pr鏏ki w wyniku przesuwania si� ig造 pomiarowej po powierzchni badanej pr鏏ki. Ig豉 ca造 czas pozostaje w delikatnym kontakcie z badan� powierzchni�. Odkszta販enie po這瞠nia d德igienki zwi您ane jest z proporcjonalnymi zmianami topografii pr鏏ki.
- Mod bezkontaktowy (True Non-Contact AFM): odwzorowanie topografii powierzchni za pomoc� oscylacyjnego ruchu ig造 z cz瘰totliwo軼i� blisk� cz瘰totliwo軼i rezonansowej i amplitudzie kilku nanometr闚.
- Mod przerywanego kontaktu (Dynamic Force Microscopy): po陰czenie modu kontaktowego z bezkontaktowym do analizy topografii powierzchni.
Uniwersalna g這wica mikroskopu XE-100 umo磧iwia prac� w nast瘼uj帷ych trybach:
- Mikroskop Si� Poprzecznych – LFM (Lateral Force Microscopy): tworzenie obrazu powierzchni poprzez obserwacje zmiany wychylenia poprzecznego (skr璚enia) ig造 pomiarowej. Mikroskop ten s逝篡 do obrazowania zmian w tarciu powierzchniowym.
- Skaningowy Mikroskop Tunelowy – STM (Scanning Tunneling Microskopy): badania powierzchni z wykorzystaniem zjawiska tunelowania opisuj帷ego pr康 p造n帷y pomi璠zy pr鏏k� a ig陰 przesuwaj帷� si� tu� nad jej powierzchni�. Przy pomocy mikroskopu STM mo磧iwe jest badanie elektronowych w豉sno軼i materia堯w przewodz帷ych z atomow� rozdzielczo軼i�.
- Mikroskop Si� Magnetycznych – MFM (Magnetic Force Microscopy): pomiar topografii i w豉軼iwo軼i magnetycznych powierzchni pr鏏ki. Ig豉 pokrywa warstw� ferromagnetyka wibruje blisko powierzchni pr鏏ki w wyniku czego rejestrowane s� zmiany namagnesowania badanej powierzchni (badania m.in. struktur domen magnetycznych, g這wic i no郾ik闚 magnetycznych)
- Mikroskop Si� Elektrostatycznych – EFM (Electrostatic Force Microscopy): pomiar zmiany amplitudy ig造 pomiarowej posiadaj帷ej 豉dunek elektryczny wprawionej w drgania z cz瘰totliwo軼i� zbli穎n� do cz瘰totliwo軼i rezonansowej. W wyniku pomiaru uzyskuje si� przestrzenny rozk豉d 豉dunku elektrycznego zgromadzonego na powierzchni badanej pr鏏ki.
- Mikroskop z Modulacj� Si造 – FMM (Force Modulation Microscopy): Skanuj帷a sonda pozostaje w ci庵造m kontakcie z badan� powierzchni� w wyniku czego opr鏂z tradycyjnego obrazu topografii otrzymujemy informacje na temat w豉sno軼i mechanicznych badanej pr鏏ki.
|