Laboratorium Materia³ów Zol-¯elowych i Nanotechnologii -- Oferta
|
|
Written by Administrator
|
|
|
2008-04-19, 20:20
Page 6 of 10
Mikroskop si³ atomowych (AFM) XE-100 firmy Park Systems
Mikroskop Si³ Atomowych (AFM) XE-100 nale¿y do grupy mikroskopów ze skanuj±c± sond± umo¿liwiaj±cy uzyskanie 3-wymiarowej topografii powierzchni badanej próbki z rozdzielczo¶ci± w skali nano dziêki wykorzystaniu oddzia³ywañ miêdzyatomowych pomiêdzy sond± a powierzchni± badanej próbki. XE-100 przeznaczony jest do badañ ma³ych i ¶rednich próbek w stanie litym z maksymalnym zakresem skanowania nie wiêkszym ni¿ 50 µm. Mikroskop AFM umo¿liwia badanie powierzchni przewodników, pó³przewodników i izolatorów. Mo¿liwe jest tak¿e badanie organizmów biologicznych.
W zale¿no¶ci od rodzaju badanego materia³u konfiguracja mikroskopu XE-100 pozwala na pracê w nastêpuj±cych modach:
- Mod kontaktowy (Contact AFM): kontaktowe odzwierciedlenie topografii próbki w wyniku przesuwania siê ig³y pomiarowej po powierzchni badanej próbki. Ig³a ca³y czas pozostaje w delikatnym kontakcie z badan± powierzchni±. Odkszta³cenie po³o¿enia d¼wigienki zwi±zane jest z proporcjonalnymi zmianami topografii próbki.
- Mod bezkontaktowy (True Non-Contact AFM): odwzorowanie topografii powierzchni za pomoc± oscylacyjnego ruchu ig³y z czêstotliwo¶ci± blisk± czêstotliwo¶ci rezonansowej i amplitudzie kilku nanometrów.
- Mod przerywanego kontaktu (Dynamic Force Microscopy): po³±czenie modu kontaktowego z bezkontaktowym do analizy topografii powierzchni.
Uniwersalna g³owica mikroskopu XE-100 umo¿liwia pracê w nastêpuj±cych trybach:
- Mikroskop Si³ Poprzecznych – LFM (Lateral Force Microscopy): tworzenie obrazu powierzchni poprzez obserwacje zmiany wychylenia poprzecznego (skrêcenia) ig³y pomiarowej. Mikroskop ten s³u¿y do obrazowania zmian w tarciu powierzchniowym.
- Skaningowy Mikroskop Tunelowy – STM (Scanning Tunneling Microskopy): badania powierzchni z wykorzystaniem zjawiska tunelowania opisuj±cego pr±d p³yn±cy pomiêdzy próbk± a ig³± przesuwaj±c± siê tu¿ nad jej powierzchni±. Przy pomocy mikroskopu STM mo¿liwe jest badanie elektronowych w³asno¶ci materia³ów przewodz±cych z atomow± rozdzielczo¶ci±.
- Mikroskop Si³ Magnetycznych – MFM (Magnetic Force Microscopy): pomiar topografii i w³a¶ciwo¶ci magnetycznych powierzchni próbki. Ig³a pokrywa warstw± ferromagnetyka wibruje blisko powierzchni próbki w wyniku czego rejestrowane s± zmiany namagnesowania badanej powierzchni (badania m.in. struktur domen magnetycznych, g³owic i no¶ników magnetycznych)
- Mikroskop Si³ Elektrostatycznych – EFM (Electrostatic Force Microscopy): pomiar zmiany amplitudy ig³y pomiarowej posiadaj±cej ³adunek elektryczny wprawionej w drgania z czêstotliwo¶ci± zbli¿on± do czêstotliwo¶ci rezonansowej. W wyniku pomiaru uzyskuje siê przestrzenny rozk³ad ³adunku elektrycznego zgromadzonego na powierzchni badanej próbki.
- Mikroskop z Modulacj± Si³y – FMM (Force Modulation Microscopy): Skanuj±ca sonda pozostaje w ci±g³ym kontakcie z badan± powierzchni± w wyniku czego oprócz tradycyjnego obrazu topografii otrzymujemy informacje na temat w³asno¶ci mechanicznych badanej próbki.
|