IMiMT  
  Home Polski | English
ZM

Main Menu
 Home
 Contact Us
 Executives
 Staff
 History
 Research
 Education
 Services
 Conferences
 The Web Links
 News (PL)
 Publications
 Events
 Blog
 Mail (Intranet)

Login Form
Username

Password

Remember me
Forgotten your password?

 2015-09-02, 18:45
Laboratorium Materia³ów Zol-¯elowych i Nanotechnologii -- Oferta   Print 
Written by Administrator  
2008-04-19, 20:20
Page 6 of 10

Mikroskop si³ atomowych (AFM) XE-100 firmy Park Systems

Mikroskop Si³ Atomowych (AFM) XE-100 nale¿y do grupy mikroskopów ze skanuj±c± sond± umo¿liwiaj±cy uzyskanie 3-wymiarowej topografii powierzchni badanej próbki z rozdzielczo¶ci± w skali nano dziêki wykorzystaniu oddzia³ywañ miêdzyatomowych pomiêdzy sond± a powierzchni± badanej próbki. XE-100 przeznaczony jest do badañ ma³ych i ¶rednich próbek w stanie litym z maksymalnym zakresem skanowania nie wiêkszym ni¿ 50 µm. Mikroskop AFM umo¿liwia badanie powierzchni przewodników, pó³przewodników i izolatorów. Mo¿liwe jest tak¿e badanie organizmów biologicznych.

W zale¿no¶ci od rodzaju badanego materia³u konfiguracja mikroskopu XE-100 pozwala na pracê w nastêpuj±cych modach:

  • Mod kontaktowy (Contact AFM): kontaktowe odzwierciedlenie topografii próbki w wyniku przesuwania siê ig³y pomiarowej po powierzchni badanej próbki. Ig³a ca³y czas pozostaje w delikatnym kontakcie z badan± powierzchni±. Odkszta³cenie po³o¿enia d¼wigienki zwi±zane jest z proporcjonalnymi zmianami topografii próbki.
  • Mod bezkontaktowy (True Non-Contact AFM): odwzorowanie topografii powierzchni za pomoc± oscylacyjnego ruchu ig³y z czêstotliwo¶ci± blisk± czêstotliwo¶ci rezonansowej i amplitudzie kilku nanometrów.
  • Mod przerywanego kontaktu (Dynamic Force Microscopy): po³±czenie modu kontaktowego z bezkontaktowym do analizy topografii powierzchni.

Uniwersalna g³owica mikroskopu XE-100 umo¿liwia pracê w nastêpuj±cych trybach:

  • Mikroskop Si³ Poprzecznych – LFM (Lateral Force Microscopy): tworzenie obrazu powierzchni poprzez obserwacje zmiany wychylenia poprzecznego (skrêcenia) ig³y pomiarowej. Mikroskop ten s³u¿y do obrazowania zmian w tarciu powierzchniowym.
  • Skaningowy Mikroskop Tunelowy – STM (Scanning Tunneling Microskopy): badania powierzchni z wykorzystaniem zjawiska tunelowania opisuj±cego pr±d p³yn±cy pomiêdzy próbk± a ig³± przesuwaj±c± siê tu¿ nad jej powierzchni±. Przy pomocy mikroskopu STM mo¿liwe jest badanie elektronowych w³asno¶ci materia³ów przewodz±cych z atomow± rozdzielczo¶ci±.
  • Mikroskop Si³ Magnetycznych – MFM (Magnetic Force Microscopy): pomiar topografii i w³a¶ciwo¶ci magnetycznych powierzchni próbki. Ig³a pokrywa warstw± ferromagnetyka wibruje blisko powierzchni próbki w wyniku czego rejestrowane s± zmiany namagnesowania badanej powierzchni (badania m.in. struktur domen magnetycznych, g³owic i no¶ników magnetycznych)
  • Mikroskop Si³ Elektrostatycznych – EFM (Electrostatic Force Microscopy): pomiar zmiany amplitudy ig³y pomiarowej posiadaj±cej ³adunek elektryczny wprawionej w drgania z czêstotliwo¶ci± zbli¿on± do czêstotliwo¶ci rezonansowej. W wyniku pomiaru uzyskuje siê przestrzenny rozk³ad ³adunku elektrycznego zgromadzonego na powierzchni badanej próbki.
  • Mikroskop z Modulacj± Si³y – FMM (Force Modulation Microscopy): Skanuj±ca sonda pozostaje w ci±g³ym kontakcie z badan± powierzchni± w wyniku czego oprócz tradycyjnego obrazu topografii otrzymujemy informacje na temat w³asno¶ci mechanicznych badanej próbki.


NanoMitex

NanoMitex

NanoMitex

Sol-Gel Laboratory
Sol-Gel Laboratory

Pracownik

Latest News
Dr in¿. Jerzy Tadeusz Baranek
Rada Instytutu
Posiedzenie Rady Instytutu
PUBLICZNA OBRONA ROZPRAWY DOKTORSKIEJ
Wykonanie umowy zlecenia

 
Go to top of page  Home | Contact Us | Executives | Staff | History | Research | Education | Services | Conferences | The Web Links | News (PL) | Ludzie | Publications | Events | Blog | Mail (Intranet) |
© Instytut Materia³oznawstwa i Mechaniki Technicznej Politechniki Wroc³awskiej